十年(nián)前，蘋果發布第一(yī)代iPhone，開(kāi)₹★β啓智能(néng)手機(jī)的(de)黃(huáng)" ‌♣金(jīn)十年(nián)。在這(zhè) ≥π‌一(yī)輪智能(néng)手機(jī)的(de)大(εσδdà)浪潮中，蘋果市(shì)值從(cóng)900億美(měi)元✘↓♠上(shàng)漲至9000億美(měi)β✘元，一(yī)舉成為(wèi)全球市(shì)值最大↔​'÷(dà)的(de)公司。伴随智能(néng)手機(jī♣©☆)一(yī)起成長(cháng)的(de)，還(hái)有(yǒ↑ααu)上(shàng)遊的(de)零部件(j•©iàn)供應商，在供應鏈競争格局的(de)演變中，中國(guó÷©♠)的(de)消費(fèi)電(diàn)子(zǐ)公司憑借勞動力成本優<"÷ε勢、工(gōng)程師(shī)紅(hó₽↑₩ng)利、資金(jīn)成本優勢、管理(l×¥★σǐ)優勢、下(xià)遊市(shì)場(chǎng)優勢等脫穎而★™®γ出，在部分(fēn)模組和(hé)元器(qì)φ☆φ↑件(jiàn)的(de)供應中占據主要(yào)地​∏€$(dì)位，湧現(xiàn)出一(yī)批十年(nián)÷≠€漲幅數(shù)十倍的(de)優秀公司。

随著(zhe)中國(guó)經濟的(de)持續&$發展，制(zhì)造業(yè)水(shuǐ)平不(bù)斷提升，γφ國(guó)産替代将從(cóng)中遊的(deλλ σ)模組和(hé)元器(qì)件(jiàn)進軍到(dào)上(shφ®àng)遊的(de)半導體(tǐ)芯片，産業(yè)轉移已是(shì)大(dà)勢所趨，未來(lái)十年(niáφ™n)将是(shì)中國(guó)半導體(tǐ)行(xíng)業(yè≈→)的(de)黃(huáng)金(jīn)十年∞¥™£(nián)。

一(yī)、規模與市(shì)場(chǎng)

從(cóng)行(xíng)業(yè)規模上(shàng)看(kàn€α ♦)，全球半導體(tǐ)産業(yè)銷售額接近(jìn)40™÷₹00億美(měi)元，呈現(xiàn)周期性成長(cháng ≥£)的(de)特征，而中國(guó)市(shì)場(chǎng)需求增速快(↕$"kuài)于全球市(shì)場(chǎng)，目前已™≈是(shì)全世界最大(dà)的(de)半導體(tǐ)消費(f↑₽↔±èi)國(guó)，需求量占比超過60%。

然而，作(zuò)為(wèi)全球最大(dà)的(de)半導體(tǐ)消費≈♣ε☆(fèi)國(guó)，中國(guó)的(de)集成電(diàn)₩←路(lù)産品嚴重依賴進口。2016年(nián)，中國(gu®®≠↑ó)半導體(tǐ)市(shì)場(chǎ​✘$↑ng)需求額為(wèi)13859億元，但(dàn)當年(nián)國(gα  uó)內(nèi)産值僅為(wèi)4335億元， 自(zì)σ™給率僅為(wèi)31.3%。2016年(nián)，中國 ↓(guó)半導體(tǐ)進口額高(gāo)達2271億美(měi)元，連續多∏←♠π(duō)年(nián)超過原油進口額，成為(wèi)我國×β≈&(guó)第一(yī)大(dà)進口商品，半導體(tǐ€↑)行(xíng)業(yè)存在極其巨大(dà)的(de)∞✔ 市(shì)場(chǎng)替代空(kōng)間(jiān)。

從(cóng)下(xià)表可(kě)以看∑β(kàn)出，盡管目前中國(guó)半導體∑≠(tǐ)産值占比較低(dī)，但(dàn)自☆÷∏(zì)給率一(yī)直呈現(xiàn)提高(gāo)的(de)趨勢，從(c₩$'óng)2008年(nián)的(de)18%上(shàng)升到(dà₽α  o)2016年(nián)的(de)31%。未來(lái)随著(zhe)α α中國(guó)市(shì)場(chǎng)€₽>需求規模的(de)增長(cháng)，疊加自(zì)給率的(de> )不(bù)斷提高(gāo)，中國(guó)半導體(tǐ)潛在行(x¥♥íng)業(yè)空(kōng)間(jiān)高(gāo)達萬億©☆≤₽人(rén)民(mín)币以上(shàng)。'÷根據2014年(nián)出台的(de)±£>《國(guó)家(jiā)集成電(diàn)路(lù)∏÷₹ε産業(yè)發展推進綱要(yào)》，到←"(dào)2020年(nián)，中國(guó)半導體(tǐ®¥)産值年(nián)均增速将超過 20%。≈£

數(shù)據來(lái)源：CSIA

半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)是(®✘♣shì)由下(xià)遊帶動的(de)市(shì)↔♦<‌場(chǎng)，目前中國(guó)已是(shì)全球手機(jī)、電(diàn)腦(nǎo)等消費(​↕fèi)電(diàn)子(zǐ)最大(dà)的(de✔♣)生(shēng)産基地(dì)和(hé)消費(β≠✔fèi)市(shì)場(chǎng)，未來(lái)也(yě)大(dà)概率是'↔(shì)AI、5G、物(wù)聯網、數(shù)據中心等新興電(diàn)子≥¶(zǐ)産品的(de)主要(yào)市(shì)場(chǎng)，相(xiànα g)配套的(de)半導體(tǐ)芯片也(¶₩®yě)在加速向中國(guó)轉移。半導體‌¶(tǐ)行(xíng)業(yè)過去(qù)近(jìn)百年(nián)的(φ↔δ¶de)發展曆程中，一(yī)共經曆2次大(dà)規模的(de)産 ≠↑業(yè)轉移，分(fēn)别是(shì)從(cóng)美(mě♥§i)國(guó)轉移至日(rì)本，從(cóng)日(rì)本轉移至韓台，這♦✘εγ(zhè)2次轉移都(dōu)伴随著(zhe)下(xià)遊需求的(de)轉移和(hé)産業(yè)的(de±$∞)精細化(huà)分(fēn)工(gōng)。近(jìn)年(niá©∞←n)來(lái)，第3次産業(yè)轉移的(d'¶ &e)浪潮已經開(kāi)始。

二、政策與資金(jīn)

半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)是(shì)典型的(de)資本密集型δπ'→與技(jì)術(shù)密集型行(xíng)業(yè)，尤其在制(zhì)造領&≠®域，建廠(chǎng)需要(yào)大(≥₽dà)量的(de)資本開(kāi)支，且面臨投入高‍ ×→(gāo)、回收慢(màn)、風(fēng)險高(gāo)的(de)特征，這§♠<×(zhè)是(shì)民(mín)營企業(yè)難以♦↔♦ε承受之重。因此，過去(qù)中國(guó)的(de)電(diàn)子(zǐ)♣✔ ≈行(xíng)業(yè)發展更多(duō)依靠民(mín)營企業(yè)★↕家(jiā)的(de)敢闖敢幹，而半導體(≈₹↓‍tǐ)行(xíng)業(yè)則需要(yào)國(guó)家(jiā)♥ε資本的(de)大(dà)力支持。

2014年(nián)，國(guó)務院頒布《國(guó)家(jiā)集成電(dià←Ω>•n)路(lù)産業(yè)發展推進綱要(yào)》，明(míng)<σ™‍确提出到(dào)2020年(nián)，集成電(d×±πiàn)路(lù)産業(yè)與國(guó)際先進水(shuǐ)平的(™α​de)差距逐步縮小(xiǎo)，16/14nm制(zhì)造工(gō×↓ng)藝實現(xiàn)規模量産，封裝測試技(jì)術(shù)達到(®σdào)國(guó)際領先水(shuǐ)平，關鍵裝備和(hé)材料♦∑進入國(guó)際采購(gòu)體(tǐ)系，基本建成技(jì)術(shù)​¥先進、安全可(kě)靠的(de)集成電(diàn)路(l↑§↓ù)産業(yè)體(tǐ)系。同年(nián)9月 '&σ(yuè)，國(guó)家(jiā)集成電(diàn)•¥↓路(lù)産業(yè)投資基金(jīn)正式設立，首期募資1387 ×₽₹億元。投資項目覆蓋集成電(diàn)路(lù)設計(j↑ ™ì)、制(zhì)造、封裝測試、裝備、材料等各環節。與此同時(shí)，各地γα(dì)方政府的(de)投資基金(jīn)陸續成立，總計÷€(jì)規模超3000億元。2015年(nián)發布的(de)十年(∞←÷nián)戰略規劃《中國(guó)制(zhì)造20∏λ25》則提出，2020年(nián)中國(guó÷≤✔€)芯片自(zì)給率要(yào)達到(dào)40%，2025年(nián)πσ要(yào)達到(dào)70%。

中國(guó)半導體(tǐ)産業(yè)的♦≤(de)發展，将吸取過去(qù)光(guāng)伏、面闆♣☆、LED等新興産業(yè)的(de)發展經驗，在中央₩•與地(dì)方政府的(de)共同推動下(xià)，采用(yòng)更多(du∏¶©©ō)的(de)市(shì)場(chǎng)化(huà)手段加以扶持。未 π來(lái)中國(guó)半導體(tǐ)行(xíng)業(yè✔δ←)将以晶圓制(zhì)造為(wèi)發展σ×↑¥核心，3到(dào)5年(nián)內(nèi)在全國(gu≤≈ó)新建26座晶圓廠(chǎng)，産能$¥(néng)翻倍，形成以晶圓制(zhì)造為(wè≈πi)核心産業(yè)，拉動上(shàng)遊IC設計(jì)、↓‍•設備、材料與下(xià)遊封測産業(yè)的(de)快(kuài)速發展"↔。随著(zhe)國(guó)家(jiā)集成電(diàn)路(lù)↔∞産業(yè)投資基金(jīn)的(de)巨額投資，半導體(tǐ)≥☆♣≈領域的(de)各個(gè)細分(fēn)行(xíng)業(yè)已經出現σ£∏'(xiàn)龍頭，IC設計(jì)的(de)紫光(guāng)集團♠±、IC制(zhì)造的(de)中芯國(guó)際、IC封測的(de)長(∑©↑‌cháng)電(diàn)科(kē)技(jì)δλ&‍，将代表中國(guó)隊參與全球的(de)競争。面闆行(xínλ<φ♠g)業(yè)的(de)京東(dōng)方，已經成為(wε₽€èi)國(guó)家(jiā)資本扶持下(xià)的(de)成功案例"δ•，相(xiàng)信在半導體(tǐ)行(x≈εíng)業(yè)也(yě)會(huì)有(yǒ✔Ω↕u)越來(lái)越多(duō)的(de)企業(yè)脫穎而出€≈∏•。

三、技(jì)術(shù)與人(rén)才

半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)的(de)第一(yī)大§∏(dà)定律為(wèi)摩爾定律，即當價格不(bù)變時(shβ→í)，集成電(diàn)路(lù)上(shàng)的(de₹∞σ±)元器(qì)件(jiàn)數(shù)量每隔18-24個(g&✔≥è)月(yuè)翻倍，性能(néng)也(yě)将"♣提升一(yī)倍，或是(shì)性能(néng)不(bù)變，價格每隔1¥​<©8-24個(gè)月(yuè)降低(dī)一(yī)半。全球來(lái)看(k ¶àn)，10nm制(zhì)程的(de)芯片已經✔←量産并用(yòng)在蘋果新一(yī)代旗艦手機(jī)上(sh♦λ¶àng)，目前正向7nm 制(zhì)程尋求突破。然而，全球芯片制(z≠‌Ω™hì)造龍頭台積電(diàn)的(de)董事(shì≠β↑★)長(cháng)張忠謀認為(wèi)，2025年 €↓(nián)摩爾定律将遇到(dào)極大(dà)α≥≤≠挑戰，很(hěn)可(kě)能(néng)無∑€α法再往高(gāo)階制(zhì)程發展。

半導體(tǐ)制(zhì)造領域，台積電(diàn)一(∞≈'yī)家(jiā)獨大(dà)，占據全球60%的(€↑de)份額，這(zhè)家(jiā)公司之所以可(kě)怕↕‌，不(bù)僅在于它的(de)規模和(hé)體(tǐ)量，→ ♦更在于它往高(gāo)階制(zhì)程發展的(de)速度比後面追‍♣‌趕者還(hái)快(kuài)。然而，全→ 球的(de)半導體(tǐ)工(gōng)藝已經進入一(yī★‍π)個(gè)發展相(xiàng)對(duì)緩慢(màn)的(d'£©₽e)周期，10納米以下(xià)制(zhì)程 ♦的(de)競争速度放(fàng)緩，這(σ& "zhè)給中國(guó)企業(yè)提供§∏γ了(le)很(hěn)好(hǎo)的(d×>≤e)發展時(shí)間(jiān)窗(chuāng)口。'∞♥如(rú)果行(xíng)業(yè)龍頭在短(duǎn)期內(nèi€")無法突破制(zhì)程限制(zhì)，那(nà)麽随著(©≤φzhe)中國(guó)的(de)大(dà)舉投入，将在技(jì)術(s×‍♠hù)上(shàng)快(kuài)速追趕，最終比拼資金(jī"₹n)實力，中國(guó)企業(yè)發揮自(zφεαì)身(shēn)性價比優勢，搶占市(sh•→$ì)場(chǎng)份額。

從(cóng)人(rén)才角度看(kàn)，中國(guó)一(yī)方面不(™↔<‍bù)遺餘力從(cóng)全球引進高(gāo)層次人(rén♣ε↔)才，給予翻倍的(de)報(bào)酬和(hé)優厚的(de)待遇，并委以重‌λ€←任。近(jìn)年(nián)來(lái)，大(dà)≠‌¥量海(hǎi)外(wài)半導體(tǐ)公®™♣≈司的(de)中國(guó)區(qū)甚至亞太區(q​εεū)高(gāo)管離(lí)職，加盟本土(tǔ)公司，半導體(tǐ)重鎮台灣"​λ​也(yě)有(yǒu)大(dà)量高(gāo)管、技(jì)術(sβ®hù)人(rén)才被大(dà)陸企業(yè)挖走，近(jìn)≈φ÷期從(cóng)三星入職中芯國(guó)際的(de)梁孟松便是(shì)最♥π®φ典型的(de)案例。半導體(tǐ)行(xíng)業↔ ∞(yè)人(rén)才的(de)流動，代表了(le)産業(yè)的(de)" 轉移趨勢。另一(yī)方面，中國(guó)有(yǒu)大(★¶'dà)量吃(chī)苦耐勞的(de)研發人(rén)員(y'σ™✔uán)，工(gōng)程師(shī)紅(hóng)利盡顯 ÷₩。

半導體(tǐ)技(jì)術(shù)升級逐步放(f←≤≠àng)緩，為(wèi)中國(guó)企業(yè)追趕提供♠↑ 了(le)天時(shí)；産業(yè)政策的(de)扶 £持，提供了(le)地(dì)利，高(gāo)端人(r≈→®∏én)才的(de)不(bù)斷引入，則提供了(le)&¶↔¶人(rén)和(hé)。

黨的(de)十九大(dà)以後，中國(guó)的β₽ (de)政治環境更加穩定，國(guó)家(jiā)的(de)領導層将更加←σ÷α聚焦經濟發展，半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)産值巨大(dà)，關系國(  guó)計(jì)民(mín)生(shēng)，是(sh¥>ì)經濟發展的(de)重點産業(yè)。此時(shí)的(de≥≤'→)中國(guó)，國(guó)力強盛，正舉全國(guó​≤≈±)之力發展半導體(tǐ)産業(yè)，而中國(guó)是(shì)全球消費ε±(fèi)電(diàn)子(zǐ)的(de)制(zhì)造中心λ• ‍，也(yě)是(shì)全球最大(dà)的(de)半導體(tǐ)消費(≈λ→fèi)國(guó)，下(xià)遊需求旺™¥γ盛，同時(shí)重金(jīn)引進海(hǎi)外(wài)人(rén)∑☆α才、大(dà)力培育本土(tǔ)人(rén)才，消化(huà)先進技(jìλΩ&)術(shù)。未來(lái)十年(nián)，中國(guó)半導€<體(tǐ)産業(yè)将迎來(lái)黃(huáng)金(jīn)十年(​σ↓≈nián)，極有(yǒu)可(kě)能(néng)複制(zφ$hì)面闆行(xíng)業(yè)的(d&‍e)成功。

盡管目前中國(guó)的(de)半導體(tǐ)産業§•δ(yè)與先進國(guó)家(jiā)之間(jiān)的(de)εΩ差距還(hái)很(hěn)大(dà)，未來(lái)的(de)崛起‍♦€•之路(lù)不(bù)會(huì)一(yī)帆風(fēng)順•≠♠♠，但(dàn)無論是(shì)2200億美(měi)元市(shì)值的÷φ​(de)台積電(diàn)，還(hái)是(shì)2100億美( ☆↓φměi)元市(shì)值的(de)英特爾，亦或是(sh∞≥∞☆ì)英偉達、博通(tōng)、高(gāo)通(tōng)、TI→★₽、恩智浦、Analog等半導體(tǐ)巨頭 ≠φ↓，在不(bù)遠(yuǎn)的(de)将來(lái)都(dōu)有(✔≥€yǒu)可(kě)能(néng)被中國(g♠↔€uó)企業(yè)趕超甚至替代，未來(lái)中國(guó±≤♠')的(de)半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)中也(yě)會(huì) ε↓>出現(xiàn)千億市(shì)值的(de)公司，這(zhè)是(s"€>hì)大(dà)勢所趨，是(shì)曆史進程中的(de≥←ε)必然。

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